Substratos cerâmicos de nitreto de silício de baixa perda dielétrica e alta resistência A escolha preferida para embalagens de semicondutores de próxima geração

À medida que as tecnologias de SiC (carbono de silício) e GaN (nitruro de gálio) continuam a remodelar a indústria de eletrónica de potência, a procura de materiais de embalagem confiáveis e de alto desempenho está a aumentar.Substratos cerâmicos de nitruro de silício (Si3N4), com baixas perdas dielétricas, alta resistência a isolamento e resistência mecânica excepcional, tornaram-se uma escolha de topo para aplicações avançadas de módulos de potência.

Fabricado a partir de pó de Si3N4 de alta pureza e sinterizado acima de 2000°C, o substrato cerâmico de nitruro de silício alcança uma constante dielétrica inferior a 8 e uma tangente de perda (tanδ) < 0.001Com uma resistência à curvatura superior a 800 MPa e uma excelente resistência ao choque térmico,O substrato mantém a integridade estrutural mesmo em condições de ciclo térmico adversas.

Para módulos de semicondutores de alta potência, como IGBTs, MOSFETs e dispositivos SiC, a baixa propriedade dielétrica garante uma transmissão de sinal eficiente,enquanto a alta resistência mecânica aumenta a fiabilidade e a resistência às vibraçõesEm comparação com a alumina e o nitruro de alumínio, os substratos Si3N4 combinam uma elevada condutividade térmica (> 80 W/m·K) com uma resistência à fratura superior, tornando-os ideais para sistemas de accionamento de veículos eléctricos,unidades de controlo de tracção ferroviária, e módulos de carregamento rápido.

Hoje, os substratos cerâmicos de nitruro de silício são amplamente utilizados em sistemas de controle de motores de nova energia, inversores industriais, módulos de conversão de potência e amplificadores de estações base 5G,fornecer isolamento estável e dissipação de calor eficazCom o seu inigualável equilíbrio de desempenho térmico, elétrico e mecânico, os substratos Si3N4 estão a redefinir os padrões da próxima geração de embalagens de semicondutores.