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Substratos de Si₃N₄ de Alta Condutividade Térmica (110 W/(m·K)) Entram em Produção em Massa na China

2025-01-06
Latest company news about Substratos de Si₃N₄ de Alta Condutividade Térmica (110 W/(m·K)) Entram em Produção em Massa na China

Durante anos, os substratos cerâmicos de alta resistência e alta temperatura foram dominados por fornecedores estrangeiros, e os produtos locais muitas vezes ficaram para trás em termos de desempenho térmico e fiabilidade.que limita o espaço de atualização dos módulos de energia domésticos e dos sistemas de tração elétrica.

A última geração de substratos cerâmicos Si3N4 fabricados na China alcançou uma condutividade térmica medida de 110 W/(m·K, mantendo a resistência à flexão superior a 800 MPa,Combinando “alto desempenho térmico + elevada resistência.· Isto reduz a diferença entre os produtos importados de qualidade superior e, em algumas aplicações, permite a consolidação de vários dispositivos num único módulo.

Em inversores de motores de veículos elétricos, estações de carregamento e sistemas de tração ferroviária,A adoção destes substratos pode reduzir a temperatura da junção nas mesmas condições de arrefecimento ou aumentar a densidade de potência na mesma temperatura da junção., permitindo projetos mais compactos e fiáveis.

Para equipas de design já limitadas por gargalos térmicos, mas relutantes em complicar estruturas de refrigeração,A mudança para substratos de Si3N4 de alta temperatura é muitas vezes mais rentável do que a modernização de placas de frio ou o aumento do fluxo de ar..