Substratos cerâmicos AlN tornam-se padrão térmico para estações base 5G a 230 W/(m·K)
2025-05-11
Em células macro e pequenas 5G, os amplificadores de potência RF e os filtros operam em alta frequência e potência, tornando-os extremamente sensíveis ao desempenho térmico e à perda dielétrica. O Al₂O₃ convencional muitas vezes não consegue atender a ambos os requisitos simultaneamente.
Os substratos cerâmicos de AlN fornecem condutividade térmica de até 230 W/(m·K) com perda dielétrica tão baixa quanto <0,0005 a 10 GHz. Eles removem eficientemente o calor da interface do chip, mantendo a integridade do sinal, reduzindo a resistência térmica do PA RF para cerca de 0,3 K/W.
A adoção de substratos de AlN em estações base 5G reduz significativamente as temperaturas de junção, tornando mais fácil manter a potência de saída e a linearidade, ao mesmo tempo que permite que mais canais de RF sejam integrados no mesmo volume de gabinete para aumentar a capacidade do site.
Quando “alta potência + alta frequência + alta densidade” são todos necessários, o AlN deve ser a escolha padrão de substrato para módulos RF, com otimização de layout e resfriamento construída sobre essa base.