Si3N4Cu ligado a AMB com resistência de 25 MPa iniciadores de uma nova era para embalagens IGBT automotivas
2025-01-14
A brasagem ativa de metais (AMB) é a tecnologia chave para o revestimento de Cu em substratos cerâmicos em módulos de alta potência, e a resistência da ligação impacta diretamente a confiabilidade dos módulos IGBT/SiC sob ciclos térmicos e choque mecânico.
Ao otimizar os sistemas de metalização e enchimento, a resistência da ligação Si₃N₄–Cu foi elevada para 25 MPa—cerca de 1,5 vezes a dos conjuntos AlN–Cu convencionais. Isso permite que módulos com a mesma espessura e layout de cobre suportem cargas térmicas e mecânicas mais altas.
Para inversores de grau automotivo, OBCs e conversores DC/DC, uma maior resistência da ligação não apenas reduz o risco de delaminação da almofada, mas também permite “cobre mais fino, embalagens menores”, facilitando uma maior densidade de potência e layouts sob o capô mais compactos.
Durante as fases de atualização do módulo, as soluções AMB de Si₃N₄ devem ser testadas antecipadamente, com comparação A/B dos ciclos de potência e tempos de vida de choque térmico sob layouts idênticos para quantificar os ganhos de confiabilidade.