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Notícias da Empresa CTE-Matched Si3N4 ¢ SiC Stack Cuts 800 V E-Drive Interface falhas em 90%
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CTE-Matched Si3N4 ¢ SiC Stack Cuts 800 V E-Drive Interface falhas em 90%

2026-01-12
Latest company news about CTE-Matched Si3N4 ¢ SiC Stack Cuts 800 V E-Drive Interface falhas em 90%

Em plataformas de 800 V, os dispositivos SiC funcionam a altas temperaturas e dI/dt elevados, amplificando significativamente o estresse térmico nas interfaces do pacote e causando falhas precoces do módulo de potência.

Os substratos de Si3N4 apresentam um coeficiente de expansão térmica de cerca de 3,2 × 10−6/°C, correspondendo de perto ao SiC em ~ 4,0 × 10−6/°C.Os ensaios de ciclo térmico mostram que a substituição de substratos antigos por Si3N4 reduz cerca de 90% as falhas de soldagem-craque e de interfaces-delaminação, estendendo consideravelmente a vida útil do ciclo de potência.

Para as marcas de veículos elétricos que empurram arquiteturas de 800 V, this CTE matching at the material level reduces the need for aggressive derating and allows engineers to unlock more power margin in the same package size while maintaining reliability over the vehicle warranty period.

Para a migração de 400 V para 800 V, não é suficiente concentrar-se apenas nos parâmetros do dispositivo SiC.Confiabilidade da interface e desempenho térmico avaliados em conjunto.

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