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Notícias da Empresa Substratos Si3N4 impulsionam os projetos OBC, combinando baixa perda dielétrica com carregamento rápido 3C
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Substratos Si3N4 impulsionam os projetos OBC, combinando baixa perda dielétrica com carregamento rápido 3C

2026-01-12
Latest company news about Substratos Si3N4 impulsionam os projetos OBC, combinando baixa perda dielétrica com carregamento rápido 3C

Os carregadores de bordo (OBCs) estão a caminhar para uma maior densidade de potência e uma maior frequência de comutação, ao mesmo tempo que satisfazem as exigências rigorosas de eficiência e tamanho do carregamento rápido 3C.

Os substratos de Si₃N₄ têm uma constante dielétrica de cerca de 7,5 e baixa perda dielétrica, reduzindo o atraso do sinal e a perda de energia em estágios de alta frequência. Combinados com um bom desempenho térmico e mecânico, ajudam a manter as temperaturas dos OBCs sob controle durante o carregamento rápido 3C, mantendo a confiabilidade do pacote.

Isso permite que as OEMs integrem OBCs de maior potência em um espaço limitado sob o capô e alcancem um “carregamento mais rápido sem maior tamanho ou vida útil reduzida.”

Para as marcas que posicionam a experiência de carregamento rápido como um ponto de venda chave, tratar os substratos de Si₃N₄ como um componente fundamental da plataforma, em vez de um complemento opcional, ajuda a garantir uma vantagem técnica duradoura.

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